格芯宣布完成 22FDX 製程技术开发,即将用于生产 eMRAM-
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格芯宣布完成 22FDX 製程技术开发,即将用于生产 eMRAM

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根据国外科技媒体 《anandtech》 的报导指出,全球晶圆代工大厂 GlobalFoundries (格芯) 于 27 日宣布,该公司已经已经完成了 22FDX (22 奈米 FD-SOI)的技术开发,而这项技术未来将投入嵌入式磁阻非易失性记忆体 (eMRAM) 的生产。

报导指出,eMRAM 这种新世代的记忆体综合了 RAM 记忆体、NAND Flash 快闪记忆体的优点,除了新型非易失性存储介质在断电后不会失去数据,而且写入的速度还数千倍于 NAND Flash 快闪记忆体,因此可以用于兼做记忆体和硬碟等用途,甚至整合两者的用途。另外,还有一项关键因素,那就是 eMRAM 对生产製程的要求不高,成品良率也比较高,这就可以使製造商更简单的控制成本,使得最后产品的价格不会高得离谱。

报导进一步指出,当前在市场上除了格芯外,另外还有包括英特尔、IBM、TDK、三星、希捷 (SEAGATE) 等科技大企业多年来也一直都进行着 eMRAM 的研究。对此,格芯表示,使用其 22FDX 製程技术所生产的 eMRAM 测试晶片已经完成,在错误检查与纠正 (Error Correcting Code;ECC) 的测试下,自 -40°C 到 125°C 的工作温度间,具有 10 万个週期的耐久性和 10 年的资料保持能力。

另外,格芯还指出,其所生产出的 eMRAM 测试产品目前已经通过标準的可靠性测试,包括 LTOL (168小时)、HTOL (500 小时) 和 5x 焊料回流,故障率 <1ppm,而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。而格芯接下来将在德国德勒斯登的 12 吋 Fab 1 晶圆厂进行 22FDX 製程技术来生产 eMRAM,而格芯所生产的 eMRAM 已经有多个客户预计使用。

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